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저작권보호정책

저작권 보호정책의 목적

본 정책의 목적은 ‘천마총발굴50년’ 홈페이지에서 제공하는 정보가 정보 출처를 밝히지 않고 무단 사용, 변조, 상업적인 용도 등으로 이용되는 사례를 방지하기 위함입니다.

저작권 보호 및 정책

‘천마총발굴50년’ 홈페이지에서 제공하는 모든 자료는 저작권법 등 관련 법규에 따라 보호받는 저작물로 무단으로 복제, 배포할 경우 저작권 침해에 해당하며(저작권법 제136조(벌칙)) 위 사항을 원칙적으로 금하고 있습니다. 이에 이용자는 허가되지 않은 자료를 무단으로 사용할 수 없으며 관련 법규와 공공저작물 이용 방법을 준수해야 합니다.

특히 ‘천마총발굴50년’ 홈페이지에서 개방 중인 자료 중 천마총발굴50년이 저작권 전부를 소유하지 아니한 자료(다른 저작권과 저작재산권을 공유한 자료, 저작물 이용허락만 받은 자료 등)가 함께 게시되어 있습니다. 위 경우에는 제3자의 권리가 포함되어 있는 자료들로 저작물 이용에 엄격한 제한을 두고 있습니다. 따라서 단순 열람 외에 무단 변경, 복제ㆍ배포, 개작 등의 이용은 금지되며 이를 위반할 경우 관련법에 의거 법적 처벌을 받을 수 있음을 알려드립니다.

저작권 이용 내역

홈페이지에 사용된 이미지 중 일부는 ’천마총발굴50년‘에서 '2022년' 작성하여 공공누리 제1유형으로 개방한 '천마총_목곽내부’(작성자: 천마총발굴50년 홈페이지 담당자)'를 이용하였으며, 해당 저작물은 '문화재청 국가문화유산포털’, http://www.heritage.go.kr‘에서 무료로 다운받으실 수 있습니다.

공공저작물의 4가지 유형은 문화체육관광부 공공누리 사이트 (https://www.kogl.or.kr/info/license.do) 에서 확인할 수 있습니다.

공공저작물 4가지 유형
  • 제1유형 : 출저표시
    1. - 출처표시
    2. - 상업적, 비상업적 이용가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 가능
  • 제2유형 : 출처표시 + 상업적 이용금지
    1. - 출처표시
    2. - 비상업적 이용가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 가능
  • 제3유형 : 출처표시 + 변경금지
    1. - 출처표시
    2. - 상업적, 비상업적 이용가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 금지
  • 제4유형 : 출처표시 + 상업적 이용금지 + 변경금지
    1. - 출처표시
    2. - 비상업적 이용만 가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 금지
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Technology 01

ALD

What is ALD (Atomic Layer Deposition) ?
Conventional CVD vs ALD
  • Conventional CVD

    1. ·gas phase reaction + surface reaction
  • ALD

    1. ·saturated surface controlled reaction
    2. ·Layer-by-layer deposition process
    3. ·Surface saturation controlled process
    4. ·Excellent step coverage and film quality
ALD (Atomic Layer Deposition)
  • Requirement for Monolayer
    Formation
    1. ·Processing Temperature
    2. ·Sufficient Dose and Purging Time
  • Characteristics of ALD Processes
    1. ·Chemisorptions
    2. ·Selective Desorption (Bonding Energy)
    3. ·Reaction and Purge Sequence (Reaction Cycle)
  • Material Utilization Efficiency
    1. ·Substrate Hitting Rate
    2. ·Reactor Geometry
    3. ·Low Pressure
Temperature Window
    1. L1 : Reactant Condensation
      adhesion problem
    2. L2 : Poor Reactivity
    3. H1 : Decomposition of source
      like a CVD
    4. H1 : Re-evaporation/Dissociation of Monolayer
      Formed Surface